Podwójny tranzystor UM6K1N to dwa bliźniacze, niskonapięciowe N-MOSFETy z transilami zabezpieczającymi w obwodach G-S. Wystarczy zatem dokonać kilku pomiarów rezystancji (omomierz ustawiony na 2MΩ) i spadku napięcia (test diody):
- jako, że bramki w MOSFETach są izolowane, miernik nie powinien wskazać żadnych wartości przy pomiarach G-S oraz G-D (w obu kierunkach i przy obu testach).
- z uwagi na pasożytnicze złącze PN w obwodzie D-S, test diody w kierunku S-D (plus miernika do źródła, minus do drenu) powinien wykazać obecność zwykłej diody (spadek ok. 450-650mV). W kierunku D-S (plus miernika do drenu, minus do źródła) miernik nie powinien wykazać ani spadku napięcia, ani jakiejkolwiek rezystancji w przyjętym zakresie.
- ze względu na to, że UM6K1N jest tranzystorem niskonapięciowym (załącza się przy napięciu bramki poniżej 2V), bardzo łatwo otworzyć go poprzez test diody w kierunku G-S (plus miernika na bramkę, minus na źródło). Otwarty w ten sposób tranzystor będzie wykazywał zwarcie (lub niską rezystancję rzędu do kilku Ω) złącza D-S, co może być mylnie interpretowane jako uszkodzenie tranzystora. Z tego względu każdy kolejny pomiar powinien być poprzedzony zwarciem bramki do źródła (potocznie zwanym rozładowaniem bramki).
Mała dygresja do p. 3 - UM6K1N jest tranzystorem z kanałem wzbogacanym (normalnie otwarty). Jednakże istnieją tranzystory z kanałem zubożanym (normalnie zwarty), np. 2N3796. Tego typu tranzystory przewodzą częściowo prąd przy zerowym napięciu złącza G-S. Do zatkania takiego tranzystora potrzebne jest ujemne napięcie bramki względem źródła. W technice komputerowej jednak takie tranzystory nie są praktycznie stosowane.
