#1 Laptop G512LI-HN05T uszkodzony tranzystor przetwornicy +VCCCORE
przez Stani • 13 stycznia 2025, 13:34
Laptop jak w temacie. Zwarciu uległ tranzystor PQH8101A (górny) jednej z przetwornic na napięciu +VCCCORE.
Płyta główna: G512LI MAIN BOARD, REV. 2.0.
Po podniesieniu tego dual-mosfeta zwarcie głównej linii zasilania ustąpiło.
Rezystancja na cewkach przetwornic +VCCCORE od strony układu wynosi 1,4 ohma. Znalazłem informację, że ta rezystancja jest do przyjęcia jako właściwa.
Na schemacie tranzystor(y) opisany jako FDPC5018SG ale zastosowany został tranzystor(y) opisane ZF906 (SiZF906DT).
Czy można zastosować FDPC5018SG zamiast SiZF906DT?.
Różnica jest nieznaczna na niekorzyść jeśli chodzi o parametr Drain Current - Continuos natomiast parametr Drain Current - Pulsed jest lepszy.
FDPC5018SG nie ma też drugiej diody równoległej do diody Schottky na dolnym tranzystorze.
Płyta główna: G512LI MAIN BOARD, REV. 2.0.
Po podniesieniu tego dual-mosfeta zwarcie głównej linii zasilania ustąpiło.
Rezystancja na cewkach przetwornic +VCCCORE od strony układu wynosi 1,4 ohma. Znalazłem informację, że ta rezystancja jest do przyjęcia jako właściwa.
Na schemacie tranzystor(y) opisany jako FDPC5018SG ale zastosowany został tranzystor(y) opisane ZF906 (SiZF906DT).
Czy można zastosować FDPC5018SG zamiast SiZF906DT?.
Różnica jest nieznaczna na niekorzyść jeśli chodzi o parametr Drain Current - Continuos natomiast parametr Drain Current - Pulsed jest lepszy.
FDPC5018SG nie ma też drugiej diody równoległej do diody Schottky na dolnym tranzystorze.