Pytanie do materiału edukacyjnego

Spider12 писал(а):tylko w tym przypadku układ detekcji zasilania nie dostaje napięcia VIN gdyż uniemożliwia to dioda , czy mam zmostkować przed diodą do drenu ?

Wydaje mi się, że nie rozumiesz tego obwodu albo nie umiesz czytać schematów. Układ detekcji zasilania jest tutaj zrealizowany na układzie PU1(A). Jeśli napięcie zasilania ma wartość wyższą, niż 18V, sygnały ACIN i PACIN przyjmują stan wysoki (poziom 4,3V - napięcie to jest ustalane diodą Zenera PD3). W konsekwencji tego, blokowany jest tranzystor PQ12 (poprzez wyłączenie PQ38) oraz załączany jest PQ10 (poprzez włączenie PQ39 i PQ44 oraz wyłączenie PQ33 i PQ34). Próba zwarciowa w przypadku obwodu jednotranzystorowego sprowadza się do zwarcia amperomierzem drenu ze źródłem tego tranzystora, przy czym dioda PD13 nie ma tu żadnego wpływu na skuteczność próby, o ile oczywiście sama nie jest uszkodzona (przerwa). Nie rozumiem w ogóle, w jakim celu podajesz 19V w gałąź B+ i czego oczekujesz po takim działaniu - zwłaszcza, że w Szkoleniu nie ma o tym najmniejszej wzmianki. Zasilanie do próby z ominięciem tranzystorów wejściowych (napięcie 19V) podajesz na początek wprost na gniazdo zasilania PJP1 i dopiero gdy zwarcie drenu ze źródłem PQ10 wykaże, że w gałęzi B+ jest przeciążenie lub zwarcie do masy, wykonujesz próbę zwarciową (napięciem 1V) w tej gałęzi - głównym celem jest ominięcie obwodu z elementami PD13 i PQ10, na których traciłaby się spora moc przy wykonywaniu próby zwarciowej, co powodowałoby silne nagrzewanie się tych elementów, zamiast elementu zwierającego w gałęzi B+.

Spider12 писал(а):czy tu mam się dopatrywać przyczyny nie udanego eksperymentu?

Przyczynę nieudanego eksperymentu znajdziesz w błędnym rozumieniu zasad wykonywania próby zwarciowej, którą stosuje się wyłącznie w celu ujawnienia elementu, zwierającego daną gałąź zasilania, jeśli zwarcie lub przeciążenie jest już wykryte. Omijanie tranzystorów wejściowych (zwieranie amperomierzem ich drenów czy w Twoim przypadku zwieranie drenu do źródła tranzystora PQ10) ma natomiast na celu przekonanie się, czy w obwodzie B+ (lub za nim) jest przeciążenie lub zwarcie do masy. Jeśli JEST, stosujemy próbę zwarciową w gałęzi B+. Jeśli NIE MA oraz płyta zaczyna poprawnie działać, uszkodzenie jest w obwodzie tranzystorów wejściowych. Jeśli NIE MA lecz płyta nadal pozostaje martwa, uszkodzenie jest ZA obwodem tranzystorów wejściowych.

Spider12 писал(а):płytę przeznaczyłem na straty stąd specjalnie uszkodziłem tranzystor wejściowy by zobaczyć naocznie w ramach działań edukacyjnych czy faktycznie uda mi się wykryć przebicie złącza bramka - źródło obserwując wielkość prądu na zasilaczu serwisowym i porównując z tym co w materiale edukacyjnym , niestety nie udało mi się

Zasadnicze pytania:
- czy płyta była w pełni sprawna przed uszkodzeniem tranzystora wejściowego?
- w jaki sposób uszkodziłeś tranzystor wejściowy?

Spider12 писал(а):1.Zasilanie miała w pełni sprawne natomiast cała płyta nie wyświetlała obrazu

Skoro płyta wcześniej włączała się bez obrazu, a teraz po zmostkowaniu D-S tranzystora PQ10 nie włącza się wcale, to znaczy, że uszkodziłeś więcej, niż tylko PQ10.

Spider12 писал(а):2.podając napięcie plus 20 V na bramkę tranzystora mosfet typu p , w skutek czego złącze G-S dostało zwarcia . Dlatego zastanawiałem się czemu amperomierz nie wskazywał żadnego poboru prądu wyszczególnionego w szkoleniu:

Maksymalne napięcie G-S tranzystora P1403EV8 wynosi katalogowo ±25V, toteż napięcie 20V na bramce (bez względu na polaryzację) nie powinno w żaden sposób uszkodzić tego tranzystora.

Spider12 писал(а):3. przecież PQ10 jest mostkowane na złączu dren źródło to czemu miałoby się wydzielić na nim jakaś spora moc,podczas wykonywania próby zwarciowej 1V ?

Istotnie, w przypadku zmostkowania G-S tranzystora PQ10, teoretycznie nie powinien przez niego płynąć prąd (lub jakaś niewielka wartość). Jednakże w praktyce wszystko zależy od typu użytego mostka. Niektórzy łączą dren ze źródłem cienkim przewodem, który jest niewystarczającym bocznikiem, zwłaszcza w przypadku "wpuszczania" na płytę prądów rzędu 8-10A. W takim wypadku przewód działa jak zwykły rezystor drutowy, na którym wytraca się tylko część dostarczanej mocy - a ponieważ reszta mocy też musi gdzieś się wytracić, robi to m.in. na tranzystorze (oraz na diodzie PD13, jako że jest ona połączona szeregowo z tranzystorem). Jednakże faktem jest, że takie przypadki są bardzo rzadkie i zbocznikowanie tranzystora amperomierzem najczęściej wystarcza, aby ominąć ten element i wykluczyć jego wpływ na efekty próby zwarciowej.

Spider12 писал(а):i nie objawia się to poborem prądu tak jak napisałeś w szkoleniu 80mA

Nieuważnie czytasz i potem takie "kwiatki"... Napisałem jasno:

Vogelek23 писал(а):Jeśli po zwarciu drenów (PQ8 i PQ9) prąd ustala się na poziomie nie większym niż 80mA...

20mA to nie więcej, niż 80mA, nieprawdaż?

Spider12 писал(а):tak ale płyta pobierała również 20 mA przed umyślnym uszkodzeniem PQ10.

W pierwszym poście napisałeś coś kompletnie innego:

Spider12 писал(а):niestety nie udało mi się pobór prądu wynosi 0 mA ,podając w gałąź B+ 19 V .

I w tym momencie zaczynam się już gubić w treści Twoich postów.

Z punktu widzenia diagnostyki: jeśli mierzysz napięcia do masy na PQ10 i widzisz, że na bramce i źródle masz identyczne napięcie (19V), a na drenie nie masz nic lub napięcie jest wyraźnie niższe, niż te 19V, to z automatu sprawdzasz rezystancję złącza G-S. Kolejno, jeśli zewrzesz kanał D-S tranzystora PQ10 i prąd, pobierany z zasilacza nie będzie wyższy, niż 80mA, z automatu sprawdzasz rezystancję złącza G-S. Robisz to BEZ WZGLĘDU NA TO, jaki masz prąd przed zwarciem kanału D-S (obojętnie, czy to jest 0mA, czy 20mA, czy 50mA).

Spider12 писал(а):przecież to ryzyko bo gdyby ,któryś górny klucz przetwornic np. tej od procka miał zwarcie to podanie w gałąź B+ pełnego 19 V zabije go .

Znów wychodzi na jaw nieuważne czytanie - po to właśnie stosujemy ograniczenie prądu do 200mA przy tej próbie, aby nie "usmażyć" zasilanych obwodów (jest to nawet zaraz na początku zdania, które zacytowałeś w pierwszym poście). Proponuję przeczytać Szkolenie nr 1 raz jeszcze, tym razem skupiając się dużo bardziej na treści.

A dlaczego akurat 19V? Bo jeśli dalsze obwody są sprawne a uszkodzony jest tylko klucz wejściowy, to płyta zacznie normalnie działać. Natomiast przy napięciu wejściowym niższym, niż 18V i działającej reszcie, płyta nie wyjdzie ze stanu protekcji zbyt niskiego napięcia AC i nie będziemy mieli w ogóle świadomości, że jest sprawna a my mamy tylko uszkodzony tranzystor wejściowy.

Spider12 писал(а):Nie powinno się sprawdzić miernikiem na początku gałąź B+ jeśli jest zwarcie bądź rezystancja jest niepokojąco mała zrobić próbę zwarciową z napięciem 1 V w tym obwodzie

W wielu przypadkach nie ma czystego zwarcia czy widocznego zaniżenia rezystancji do masy w gałęzi B+ i dlatego stosuje się zwieranie obwodu wejściowego przy ograniczeniu prądu do 200mA. Rzecz jasna, że należy zacząć od pomiaru rezystancji do masy gałęzi B+ zanim wpuścimy tam jakiekolwiek napięcie - jeśli jest zwarcie lub podejrzanie niska rezystancja, nie wykonujemy testu ominięcia obwodu wejściowego i przechodzimy od razu do próby zwarciowej napięciem 1V na B+ (tutaj Twoje rozumowanie jest jak najbardziej prawidłowe).

Spider12 писал(а):czy jeśli górny tranzystor przetwornicy będzie miał przebicie pokarze mi się ono na wyjściu którejś z przetwornic a 1 V nie zabije chipsetu ani procka.

Nie przy ograniczeniu prądu z zasilacza do 200mA - takie ograniczenie powoduje, że w przypadku zwarcia prąd zostaje natychmiast zredukowany, a napięcie zasilacza spadnie do wartości bliskich zeru (zasilacz przejdzie w tryb stabilizacji prądu). No chyba, że tą próbę robisz nie zasilaczem warsztatowym, a ładowarką - tutaj istnieje spore ryzyko, że udar prądowy uszkodzi obwody niskonapięciowe. Dlatego w Szkoleniu stanowczo odradzam takie "eksperymenty" z użyciem fabrycznej ładowarki.

Spider12 писал(а):Ok to jeśli mamy zwarcie na tym nieszczęsnym kluczu górnym ,którejś z przetwornic to jak do tego dojść sprawdzając rezystancje wyjść przetwornicy w stosunku do głównej gałęzi B+?

Pomiar rezystancji na cewkach przetwornic do PLUSA zasilania (w tym konkretnym przypadku do B+) wydaje się oczywistym wyborem. Coraz częściej jednak pojawiają się konstrukcje, w których napięcie B+ jest brane z wyjścia obwodu ładowania baterii (B+ jest produkowane przez charger, zamiast brane z głównej gałęzi zasilania), zaś część kluczy przetwornic jest zasilana z innych gałęzi (np. 5V) i tam zwarcie górnego klucza nie jest już takie proste do wychwycenia.

Spider12 писал(а):Czy może organoleptycznie wyczuć ciepło na tym tranzystorze?

Wykonując próbę zwarciową, wpuszcza się coraz większy prąd, aby wychwycić grzejący się element. Jeśli zauważysz, że któryś z rdzeni układów BGA robi się ciepły, natychmiast przerywasz próbę zwarciową i badasz obwody zasilania tego układu. To też jest opisane w Szkoleniu

Spider12 писал(а):Czy może sprawdzić czy górny klucz gdziekolwiek puszcza napięcie z lini B+?

Nie można każdorazowo wiązać obecności napięcia na cewce z uszkodzeniem górnego klucza. Jest bowiem wiele innych czynników, które mogą to powodować (np. uszkodzony kontroler, który częściowo otwiera górny klucz).