Bramka-Źródło-Dren

Jest dużo różnych MOSFETów (pojedyncze, podwójne, występujące w różnych obudowach), więc pytanie jest co najmniej mało precyzyjne. Jeśli chodzi o pojedyncze MOSFETy - klucze przetwornic, które są najczęściej w 8-nóżkowych obudowach, to identyfikacja pinów jest banalna. Po jednej stronie są 4 nogi (piny 5-8), połączone ze sobą - to jest dren, który zaznaczyłem na żółto. Po drugiej stronie są trzy nogi połączone ze sobą (1-3) i to jest źródło, które zaznaczyłem na czerwono, oraz jedna niepołączona z resztą (4), która jest bramką, zaznaczoną na niebiesko.

xMrNeo писал(а):Rezystancja powinna się wahać w granicach...?

Żadnych - klasyczny MOSFET nie ma mierzalnych rezystancji. A jeśli je ma, to znaczy, że jest uszkodzony. Klasyczny MOSFET wykazuje tylko spadek napięcia w kierunku źródło-dren (N-MOSFET) lub dren-źródło (P-MOSFET) od 120 do 600mV.