Pytanie o działanie mosfeta

Sprawa jest bardzo prosta - MOSFET działa w zdecydowanej większości przypadków jak sterowany włącznik. Gdy między bramkę (G) a źródło (S) podamy napięcie, złącze dren-źródło (D-S) zamknie się (zwarcie). Gdy "zabierzemy" napięcie z bramki, złącze dren-źródło otworzy się (przerwa). Tranzystor, pokazany na powyższym zdjęciu, zawiera dodatkowo dwie diody między bramką a źródłem, połączone przeciwsobnie - jest to zabezpieczenie wewnętrzne przed zbyt wysokim napięciem między bramką a źródłem. Wiele tranzystorów jest jednak pozbawionych tego zabezpieczenia. Natomiast dioda między źródłem a drenem to dioda pasożytnicza, która powstaje zupełnie przypadkiem z powodu specyficznej technologii wytwarzania tego typu tranzystorów. Jest to jedyne złącze, które można zmierzyć miernikiem - na zakresie diody wykaże spadek napięcia od 100 do 600mV. A dlaczego od 100mV, skoro dioda krzemowa ma dużo wyższe napięcie przewodzenia? Bo czasami producent celowo dodaje równolegle do tej diody pasożytniczej diodę Schottky'ego, która ma dużo niższy spadek napięcia - taka wbudowana dioda Schottky'ego pozwala ograniczyć straty mocy na tranzystorze.

Sprawności tranzystorów MOSFET nie można określić przy pomocy samego miernika (w sposób statyczny) - tego typu elementy potrzebują zbudowania choćby podstawowego środowiska testowego (test dynamiczny). Miernikiem można natomiast sprawdzić, czy tranzystor nie ma zwarcia między elektrodami - w każdą stronę tranzystor powinien wykazać przerwę, a jedynie złącze dren-źródło powinno wykazać spadek napięcia na diodzie pasożytniczej (lub Schottky'ego). I tu zależnie od polaryzacji tranzystora (N-MOSFET lub P-MOSFET) spadek napięcia będzie mierzalny w określonym kierunku - dla N-MOSFETA po przyłożeniu czerwonej sondy miernika do źródła a czarnej do drenu, natomiast w przypadku P-MOSFETA odwrotnie, czyli czerwona sonda miernika do drenu a czarna do źródła.

Pudi писал(а):wszystkie jego wyjścia

Tranzystory MOSFET nie mają wejść ani wyjść, tylko ELEKTRODY.

W niektórych przypadkach dużo lepsze parametry są dopuszczalne (np. gdy tranzystor pracuje jako przełącznik w obwodzie wejściowym), natomiast jeśli pracuje jako klucz przetwornicy to powinniśmy dobierać zamienniki z parametrami najbliższymi oryginalnemu tranzystorowi (rozrzut któregokolwiek z parametrów nie powinien przekroczyć 10%).

Pudi писал(а):A w przypadku 2 Mosfetow na wejściu też ta zasada obowiązuje?

W zdecydowanej większości przypadków masz dwa MOSFETY na wejściu. Stosowanie tranzystorów o dużo lepszych parametrach w tym obwodzie jest dopuszczalne, natomiast nie jest zalecane z prostego powodu - jeśli założysz tranzystor o prądzie drenu 150A w miejsce takiego, który miał 15A, to w przypadku zwarcia w głównej gałęzi ten lepszy tranzystor uszkodzi się dużo później (lub wcale), niż oryginalny, co może prowadzić do większych uszkodzeń zasilanych obwodów.