Pytanie o działanie mosfeta

Witam mógłby mi ktoś bardziej szczegółowo wytłumaczyc działanie takiego mosfeta
Oraz jak w takim wypadku wygląda możliwość sprawdzenia go multimetrem bo jak dobrze rozumuje wszystkie jego wyjścia są w pewien sposób połączone ze sobą

Sprawa jest bardzo prosta - MOSFET działa w zdecydowanej większości przypadków jak sterowany włącznik. Gdy między bramkę (G) a źródło (S) podamy napięcie, złącze dren-źródło (D-S) zamknie się (zwarcie). Gdy "zabierzemy" napięcie z bramki, złącze dren-źródło otworzy się (przerwa). Tranzystor, pokazany na powyższym zdjęciu, zawiera dodatkowo dwie diody między bramką a źródłem, połączone przeciwsobnie - jest to zabezpieczenie wewnętrzne przed zbyt wysokim napięciem między bramką a źródłem. Wiele tranzystorów jest jednak pozbawionych tego zabezpieczenia. Natomiast dioda między źródłem a drenem to dioda pasożytnicza, która powstaje zupełnie przypadkiem z powodu specyficznej technologii wytwarzania tego typu tranzystorów. Jest to jedyne złącze, które można zmierzyć miernikiem - na zakresie diody wykaże spadek napięcia od 100 do 600mV. A dlaczego od 100mV, skoro dioda krzemowa ma dużo wyższe napięcie przewodzenia? Bo czasami producent celowo dodaje równolegle do tej diody pasożytniczej diodę Schottky'ego, która ma dużo niższy spadek napięcia - taka wbudowana dioda Schottky'ego pozwala ograniczyć straty mocy na tranzystorze.

Sprawności tranzystorów MOSFET nie można określić przy pomocy samego miernika (w sposób statyczny) - tego typu elementy potrzebują zbudowania choćby podstawowego środowiska testowego (test dynamiczny). Miernikiem można natomiast sprawdzić, czy tranzystor nie ma zwarcia między elektrodami - w każdą stronę tranzystor powinien wykazać przerwę, a jedynie złącze dren-źródło powinno wykazać spadek napięcia na diodzie pasożytniczej (lub Schottky'ego). I tu zależnie od polaryzacji tranzystora (N-MOSFET lub P-MOSFET) spadek napięcia będzie mierzalny w określonym kierunku - dla N-MOSFETA po przyłożeniu czerwonej sondy miernika do źródła a czarnej do drenu, natomiast w przypadku P-MOSFETA odwrotnie, czyli czerwona sonda miernika do drenu a czarna do źródła.

Pudi писал(а):wszystkie jego wyjścia

Tranzystory MOSFET nie mają wejść ani wyjść, tylko ELEKTRODY.

Dziękuję bardzo za wyjaśnienie tematu. Jeszcze chciałbym dopytać jak wygląda kwestia doboru zamiennika na jakie rozbieżności można sobie pozwolić(o ile na jakiekolwiek można)

Np w takim zestawieniu czy większy prąd drenu i moc rozpraszana są dopuszczalne czy kategorycznie trzeba trzymać się parametrów opisanych w nocie katalogowej oryginału?

W niektórych przypadkach dużo lepsze parametry są dopuszczalne (np. gdy tranzystor pracuje jako przełącznik w obwodzie wejściowym), natomiast jeśli pracuje jako klucz przetwornicy to powinniśmy dobierać zamienniki z parametrami najbliższymi oryginalnemu tranzystorowi (rozrzut któregokolwiek z parametrów nie powinien przekroczyć 10%).

Vogelek23 писал(а):W niektórych przypadkach dużo lepsze parametry są dopuszczalne (np. gdy tranzystor pracuje jako przełącznik w obwodzie wejściowym).

A w przypadku 2 Mosfetow na wejściu też ta zasada obowiązuje? Bo zauważyłem przynajmniej na tych schematach które dotychczas analizowałem, że pierwszy mosfet jest mocniejszy niz drugi. I w takim wypadku pojawia się zależność między mocą pierwszego wzgledem drugiego?

Pudi писал(а):A w przypadku 2 Mosfetow na wejściu też ta zasada obowiązuje?

W zdecydowanej większości przypadków masz dwa MOSFETY na wejściu. Stosowanie tranzystorów o dużo lepszych parametrach w tym obwodzie jest dopuszczalne, natomiast nie jest zalecane z prostego powodu - jeśli założysz tranzystor o prądzie drenu 150A w miejsce takiego, który miał 15A, to w przypadku zwarcia w głównej gałęzi ten lepszy tranzystor uszkodzi się dużo później (lub wcale), niż oryginalny, co może prowadzić do większych uszkodzeń zasilanych obwodów.

Serdecznie dziękuję za odpowiedź na nurtujące mnie kwestie pozdrawiam