Przebity mosfet

krzysztof000 napisał(a):czy można na szybko sprawdzić czy jest on przebity?

Tak. Ponieważ jest to N-MOSFET, wykonujesz dwa pomiary na zakresie diod - najpierw czarna sonda do bramki a czerwona do źródła (żeby rozładować bramkę), a następnie czarna do źródła a czerwona do drenu. Jeśli w obu przypadkach jest otwarty obwód (miernik nie wyświetli żadnych wartości) to odwracasz sondy (czarna do drenu, czerwona do źródła) i sprawdzasz, czy masz spadek napięcia około 400-700mV (ten tranzystor nie ma zintegrowanej diody Schottky'ego, która dawałaby spadek ok. 100-300mV). Oczywiście jeśli wszystko jest w porządku, to nadal nie gwarantuje pełnej sprawności tranzystora, ale przynajmniej wiemy, że tranzystor nie jest przebity. Jeśli w którymkolwiek punkcie masz inne wskazania niż podane wyżej, to tranzystor jest uszkodzony.

krzysztof000 napisał(a):Czy kolor sond tutaj ma znaczenie gdzie przykładam (dren-źródło)?

Pisałem to już wielokrotnie, ale powtórzę. Tranzystor typu MOSFET ma między drenem a źródłem zintegrowaną pasożytniczą diodę, która nie jest celowym elementem (choć niektóre tranzystory mają celowo zintegrowaną diodę Schottky'ego), lecz wynikiem metody produkcji tranzystora. Jeśli w tranzystorze z kanałem N przyłożysz czerwoną sondę do drenu a czarną do źródła, to miernik powinien pokazać otwarty obwód (przepełnienie). Zamieniając sondy miejscami, powinieneś mieć spadek napięcia 400-700mV na tej pasożytniczej diodzie. Odwrotnie jest z tranzystorami z kanałem P - spadek napięcia powinien się pokazać jedynie, gdy czerwona sonda jest na drenie, a czarna na źródle.

krzysztof000 napisał(a):Czy mogę w ten sposób sprawdzić mosfet po wylutowaniu czy "dzwoni"?

Tak, ale musisz odczekać po wylutowaniu tranzystora, aż ten ostygnie. To też już pisałem wiele razy, ale powtórzę - nagrzany do temperatury powyżej 150 stopni tranzystor MOSFET (sprawny) wykazuje zwarcie drenu ze źródłem przy badaniu miernikiem. Po wystygnięciu elementu "zwarcie" ustępuje.

Sprawny tranzystor nie wykazuje generalnie żadnej mierzalnej rezystancji między elektrodami źródło-bramka ani dren-bramka.

Źle zadane pytanie. W laptopie tranzystory nie mają stałych (w rozumieniu, że takich samych na każdym zamontowanym tranzystorze) napięć. Jeśli chodzi o obwód wejściowy zasilania, to przeważnie (choć nie zawsze) tranzystory są połączone ze sobą przeciwsobnie i jeśli są to tranzystory N-MOSFET, to napięcie na bramce musi być o kilka V wyższe, niż na źródle, aby tranzystor został otwarty (przepuszczał prąd z drenu do źródła). W przypadku tranzystorów P-MOSFET jest odwrotnie - aby otworzyć tranzystor, napięcie na jego bramce musi być o kilka V niższe, niż na źródle. Natomiast w przypadku tranzystorów MOSFET, które są zastosowane jako klucze w przetwornicach, sytuacja jest zgoła inna - tutaj napięcie sterujące to seria powtarzających się impulsów napięciowych, zsynchronizowanych tak, żeby tranzystor włączał się jedynie na określony czas (przeważnie wynoszący dziesiątki mikrosekund). Zrozumienie zasady działania przetwornicy impulsowej w takich przypadkach jest sporo trudniejsze, bo wymaga elementarnej wiedzy o budowie, charakterystyce pracy i jej zależności od parametrów trzech różnych elementów: tranzystorów kluczujących, cewki oraz kondensatora filtrującego.

Zapoznaj się z teorią budowy i działania tranzystorów MOSFET, a dopiero zadawaj dalsze pytania - bez elementarnej wiedzy o budowie i charakterystyce pracy tranzystora nie zrozumiesz nigdy, dlaczego na jednym tranzystorze podczas pracy występują takie napięcia, a na drugim inne. Półprzewodniki mają bardzo dużo różnych parametrów, które w niektórych przypadkach są właściwie do pominięcia, ale w innych są kluczowe, wręcz krytyczne. Przykładem może być pojemność bramki - parametr ten nie ma właściwie żadnego znaczenia, gdy tranzystor pracuje w obwodzie wejściowym zasilania jako zwykły przełącznik, ale już w przypadku przetwornicy impulsowej czas rozładowania bramki (a tym samym szybkość wyłączenia tranzystora) jest parametrem krytycznym. Dlatego właśnie w przypadku przetwornic impulsowych nie można stosować dowolnych tranzystorów jako zamienniki, zakładając tylko prąd drenu i napięcie pracy jako wyznaczniki zamienności.