Przebity mosfet

Witam,

Mam taki mosfet AON7408L, czy można na szybko sprawdzić czy jest on przebity?
wtedy przykładam czerwoną sondę do drenu, a czarną do źródła? Jeżeli "dzwoni" to znaczy, że jest przebity? Czy kolor sond tutaj ma znaczenie gdzie przykładam (dren-źródło)? Czy mogę w ten sposób sprawdzić mosfet po wylutowaniu czy "dzwoni"?

Cześć,

Mosfety sprawdzasz w teście diody na multimetrze, sprawdzając spadek napięcia względem dren-źródło, źródło-dren.
W przypadku dren-źródło multimetr powinien pokazać spadek napięcia na poziomie ok 0,5V, natomiast w drugim przypadku źródło-dren multimetr powinien pokazać OL z racji wystąpienia diody w mosfecie która uniemożliwia przepływaniu napięcia w kierunku powrotnym.
Dodatkowo warto jeszcze sprawdzić rezystancję: źródło-bramka oraz dren-bramka. Pokaże to ewentualne problemy z wysterowaniem mosfetu.
Starałem się wytłumaczyć to prostym językiem, jednak jeśli ciekawią Cię szczegóły to na pewno koledzy bardziej doświadczeni będą mogli rozwinąć temat.

krzysztof000 писал(а):czy można na szybko sprawdzić czy jest on przebity?

Tak. Ponieważ jest to N-MOSFET, wykonujesz dwa pomiary na zakresie diod - najpierw czarna sonda do bramki a czerwona do źródła (żeby rozładować bramkę), a następnie czarna do źródła a czerwona do drenu. Jeśli w obu przypadkach jest otwarty obwód (miernik nie wyświetli żadnych wartości) to odwracasz sondy (czarna do drenu, czerwona do źródła) i sprawdzasz, czy masz spadek napięcia około 400-700mV (ten tranzystor nie ma zintegrowanej diody Schottky'ego, która dawałaby spadek ok. 100-300mV). Oczywiście jeśli wszystko jest w porządku, to nadal nie gwarantuje pełnej sprawności tranzystora, ale przynajmniej wiemy, że tranzystor nie jest przebity. Jeśli w którymkolwiek punkcie masz inne wskazania niż podane wyżej, to tranzystor jest uszkodzony.

krzysztof000 писал(а):Czy kolor sond tutaj ma znaczenie gdzie przykładam (dren-źródło)?

Pisałem to już wielokrotnie, ale powtórzę. Tranzystor typu MOSFET ma między drenem a źródłem zintegrowaną pasożytniczą diodę, która nie jest celowym elementem (choć niektóre tranzystory mają celowo zintegrowaną diodę Schottky'ego), lecz wynikiem metody produkcji tranzystora. Jeśli w tranzystorze z kanałem N przyłożysz czerwoną sondę do drenu a czarną do źródła, to miernik powinien pokazać otwarty obwód (przepełnienie). Zamieniając sondy miejscami, powinieneś mieć spadek napięcia 400-700mV na tej pasożytniczej diodzie. Odwrotnie jest z tranzystorami z kanałem P - spadek napięcia powinien się pokazać jedynie, gdy czerwona sonda jest na drenie, a czarna na źródle.

krzysztof000 писал(а):Czy mogę w ten sposób sprawdzić mosfet po wylutowaniu czy "dzwoni"?

Tak, ale musisz odczekać po wylutowaniu tranzystora, aż ten ostygnie. To też już pisałem wiele razy, ale powtórzę - nagrzany do temperatury powyżej 150 stopni tranzystor MOSFET (sprawny) wykazuje zwarcie drenu ze źródłem przy badaniu miernikiem. Po wystygnięciu elementu "zwarcie" ustępuje.

Dodatkowo warto jeszcze sprawdzić rezystancję: źródło-bramka oraz dren-bramka

Jakie tutaj powinny być wartości w przypadku tego mosfetu? Gdy jest dobry i uszkodzony?

Sprawny tranzystor nie wykazuje generalnie żadnej mierzalnej rezystancji między elektrodami źródło-bramka ani dren-bramka.

Ok, a napięcia do masy na tranzystorze w laptopie na drenie powinno być 19V, natomiast na bramkach - tranzystory N-Channel - napięcia powinny być o ok. 6-7V wyższe, niż napięcie ładowarki (czyli około 25-26V)?

A jak wygląda sytuacja z tranzystorami typu P ?

Źle zadane pytanie. W laptopie tranzystory nie mają stałych (w rozumieniu, że takich samych na każdym zamontowanym tranzystorze) napięć. Jeśli chodzi o obwód wejściowy zasilania, to przeważnie (choć nie zawsze) tranzystory są połączone ze sobą przeciwsobnie i jeśli są to tranzystory N-MOSFET, to napięcie na bramce musi być o kilka V wyższe, niż na źródle, aby tranzystor został otwarty (przepuszczał prąd z drenu do źródła). W przypadku tranzystorów P-MOSFET jest odwrotnie - aby otworzyć tranzystor, napięcie na jego bramce musi być o kilka V niższe, niż na źródle. Natomiast w przypadku tranzystorów MOSFET, które są zastosowane jako klucze w przetwornicach, sytuacja jest zgoła inna - tutaj napięcie sterujące to seria powtarzających się impulsów napięciowych, zsynchronizowanych tak, żeby tranzystor włączał się jedynie na określony czas (przeważnie wynoszący dziesiątki mikrosekund). Zrozumienie zasady działania przetwornicy impulsowej w takich przypadkach jest sporo trudniejsze, bo wymaga elementarnej wiedzy o budowie, charakterystyce pracy i jej zależności od parametrów trzech różnych elementów: tranzystorów kluczujących, cewki oraz kondensatora filtrującego.

Zapoznaj się z teorią budowy i działania tranzystorów MOSFET, a dopiero zadawaj dalsze pytania - bez elementarnej wiedzy o budowie i charakterystyce pracy tranzystora nie zrozumiesz nigdy, dlaczego na jednym tranzystorze podczas pracy występują takie napięcia, a na drugim inne. Półprzewodniki mają bardzo dużo różnych parametrów, które w niektórych przypadkach są właściwie do pominięcia, ale w innych są kluczowe, wręcz krytyczne. Przykładem może być pojemność bramki - parametr ten nie ma właściwie żadnego znaczenia, gdy tranzystor pracuje w obwodzie wejściowym zasilania jako zwykły przełącznik, ale już w przypadku przetwornicy impulsowej czas rozładowania bramki (a tym samym szybkość wyłączenia tranzystora) jest parametrem krytycznym. Dlatego właśnie w przypadku przetwornic impulsowych nie można stosować dowolnych tranzystorów jako zamienniki, zakładając tylko prąd drenu i napięcie pracy jako wyznaczniki zamienności.