Lutowanie mosfeta n-channel

Witam.

Dałem za dużo cyny i zlały mi się 4 pady od mosfeta n-channel. Jak to mogę poprawić? Bo plecionką nie daję rady. Dziękuję za pomoc.

Wysyłam zdjęcie jak to wygląda.

Nie musisz nic poprawiać, bo te 4 pady są ze sobą fizycznie połączone w druku. Po prostu daj trochę cyny na wszystkie pady i wlutuj nowy tranzystor.

Myślałem, że jakieś zwarcie będzie bo chcę tutaj wlutować tranzystor AON7506.
Bo tutaj piny 1,2,3 będą zlane ze sobą i połączone bo to źródło? a pin 4 to będzie bramka i nie przeszkadza, że będzie to zlewało się z padami 1,2,3?
Piny 5,6,7,8 będą oki bo tam pole jest dobrze zrobione dla drenu.

Vogelek, a napisz mi jak dobierać wartości mosfetów jeżeli chodzi o zamiennik?

Muszą się zgadzać tylko i wyłączenie te parametry jak na zdjęciu:

krzysztof000 napisał(a):Bo tutaj piny 1,2,3 będą zlane ze sobą i połączone bo to źródło? a pin 4 to będzie bramka i nie przeszkadza, że będzie to zlewało się z padami 1,2,3?

Pin 4 (bramka) nie może być połączony z pinami 1-3 (źródło), bo to osobne elektrody.

krzysztof000 napisał(a):Vogelek, a napisz mi jak dobierać wartości mosfetów jeżeli chodzi o zamiennik?

Tutaj masz wszystko jak na dłoni: pytanie-o-element-ntgs4141-nt1g-w-dell-6320-t51922.html#p198619

Czyli prąd drenu musi być albo taki sam albo większy?
Czyli mosfet np. EMP21N03HC nie zamienię modelem PK632BA ?
Jakie mogą być problemy z wlutowaniem mosfetu gdzie prąd drenu jest mniejszy od oryginalnego?

krzysztof000 napisał(a):Czyli prąd drenu musi być albo taki sam albo większy?

To zależy od tego, gdzie dany tranzystor pracuje. Jeśli jest to obwód wejściowy, to można zastosować MOSFET z prądem drenu nawet dwukrotnie wyższym, niż oryginał. Natomiast w przypadku kluczy przetwornic, a zwłaszcza takich, które mają więcej, niż jeden kanał (przetwornice CPU i GPU), dobieranie zamienników należy wykonywać bardzo ostrożnie. Zamiennik nie powinien mieć parametrów odbiegających od oryginału w żadną stronę, a najlepiej, jakby miał je identyczne. Dodatkowo, w przypadku stosowania zamienników w przetwornicach wielokanałowych, sugeruję wymieniać MOSFETy (dolne LUB górne) na identyczne we wszystkich kanałach, bez względu na to, że uszkodzeniu uległ np. jeden tranzystor w jednym kanale. To pozwala na utrzymanie symetrii działania wszystkich kanałów i nie spowoduje nierównomiernego ich obciążania.

krzysztof000 napisał(a):Czyli mosfet np. EMP21N03HC nie zamienię modelem PK632BA ?

PK632BA ma o 50% większą rezystancję RDSon, więc do zastosowań w obwodach, gdzie płyną prądy rzędu kilkudziesięciu A (np. przetwornice CPU czy GPU) taka zamiana będzie błędna. Natomiast w przypadku, gdy EMP21N03HC pracuje w obwodzie wejściowym jako zwykły przełącznik, to można w jego miejsce zastosować tranzystor PK632BA, jeśli parametry zasilania (prądu maksymalnego) nie przekraczają 15A.

krzysztof000 napisał(a):Jakie mogą być problemy z wlutowaniem mosfetu gdzie prąd drenu jest mniejszy od oryginalnego?

Niższy prąd drenu oznacza najczęściej wyższą rezystancję RDSon. Wyższa rezystancja włączenia tranzystora oznacza większą moc strat na tym elemencie, a w konsekwencji jego bardziej intensywne nagrzewanie podczas pracy. A to z kolei rzutuje na trwałość elementu. W skrajnych przypadkach może zostać przekroczony SOAR elementu (SOAR = Safe Operating Area Region), czyli przy danym prądzie drenu tranzystor może osiągnąć krytyczną dla struktury temperaturę, powodującą jego nieodwracalne uszkodzenie.

Dziękuję.

Często słyszę określenie górny i dolny klucz, czyli jaki? Bo nie rozumiem tego stwierdzenia.
Kolejne pytanie na przykładowej płycie laptopa Acer Nitro 5 AN515-52 model płyty LA-J891P:
Czy górny klucz to PQB11, a dolny to PQB12? Rozumiem, że standardowa procedura to jeżeli uszkodzony jest mosfet PQB11 to zawsze trzeba wymienić drugi obok, który się z nim łączy patrząc na BoardView czyli PQB12, PQB18, PQB19 i PQB3 ?
Często na schemacie widzę określenie +19V_P1, lub P2 co oznacza to P ?

krzysztof000 napisał(a):górny i dolny klucz, czyli jaki?

Powinieneś przyswoić sobie wiedzę ze Szkolenia nr 1: post10408.html#p10408. Górny klucz to ten, który jest podłączony pomiędzy plus zasilania głównego, a cewkę indukcyjną przetwornicy. Natomiast dolny klucz jest włączony pomiędzy cewkę indukcyjną a masę. Mówiąc o kluczach "górny" i "dolny" mamy na myśli wyłącznie tranzystory, pracujące w przetwornicach step-down.

krzysztof000 napisał(a):Czy górny klucz to PQB11, a dolny to PQB12?

Nie - to są klucze szeregowe obwodu wejściowego. Nie są częścią żadnej przetwornicy, zatem nie nazywamy ich górnym ani dolnym. W podanym przykładzie PQB1 to klucz górny, a PQB2 to klucz dolny przetwornicy ładowania. Analogicznie, PQM1 to klucz górny, a PQM2 to klucz dolny przetwornicy +1.2VP. Natomiast w przypadku przetwornicy +VCC_CORE mamy do czynienia z podwójnymi kluczami (bo przetwornica jest wielofazowa): PQZ1, PQZ2, PQZ3 i PQZ4. Każdy z tych tranzystorów zawiera w swej strukturze zarówno górny, jak i dolny klucz. A jeszcze ciekawiej jest w przypadku przetwornicy GPU (+NVVDD1) - tutaj klasyczne klucze są zastąpione kompletnym sterownikiem PWM ze zintegrowanymi kluczami - mowa o układach PUV2, PUV2, PUV4 i PUV9.

krzysztof000 napisał(a):Rozumiem, że standardowa procedura to jeżeli uszkodzony jest mosfet PQB11 to zawsze trzeba wymienić drugi obok, który się z nim łączy patrząc na BoardView czyli PQB12, PQB18, PQB19 i PQB3 ?

Nie. Wymieniamy tylko te, które są uszkodzone. Jedynie w przypadku wymiany kluczy w przetwornicach CPU lub GPU (o czym pisałem wyżej) w przypadku np. wymiany dolnego klucza w jednej z czterech faz, zalecane jest albo zamontowanie identycznego tranzystora jak oryginalny, albo wymiana wszystkich dolnych kluczy we wszystkich czterech fazach na takie same zamienniki.

krzysztof000 napisał(a):Często na schemacie widzę określenie +19V_P1, lub P2 co oznacza to P ?

Po prostu PUNKT (ang. point) albo POŁĄCZENIE (ang. path). Ponieważ sygnały, które nie są połączone w tym samym węźle, nie mogą nazywać się tak samo (w procesie automatycznego projektowania PCB zostałyby bowiem zwarte ze sobą), projektant musi nazwać je inaczej. Są to tzw. etykiety (ang. net labels). Ich nazwy mają ułatwiać zorientowanie się, z jakim węzłem mamy do czynienia, ale nie są one standaryzowane. Na każdym schemacie te węzły mogą się więc nazywać kompletnie inaczej.

Mam pytanie, mam mosfet AONS36316, który między drenem a źródłem ma zwarcie.
Po wylutowaniu i odczekaniu okazuje się, że mosfet jednak nie ma zwarcia.
A na płycie głównej to pole na której był mosfet dren-źródło nadal jest niska rezystancja.
Rozumiem, że wtedy mogę zrobić próbę zwarciową i wlutować się bez mosfetu czerwonym przewodem do pola na której jest dren? Próbę zwarciową robimy zawsze na drenie na którym jest węzeł rozpływu prądu? Czy mosfet musi być wlutowany i dopiero mogę wlutować się do drenu tego mosfetu i zrobić próbę zwarciową?

Niektóre obwody robią psikusa i gdy coś innego boli płytę główną, to dana przetwornica może ściągnąć napięcie do masy, dając zwarcie, którego tak naprawde nie ma.
Możesz robić próbę zwarcia bez mosfeta.
Jeden kabel do masy, a drugi do miejsca, gdzie jest nisko.
Zawsze bezpiecznie zaczynać od 1V. No ale to już jest doskonale opisane na forum w samouczkach

krzysztof000 napisał(a):mam mosfet AONS36316, który między drenem a źródłem ma zwarcie.
Po wylutowaniu i odczekaniu okazuje się, że mosfet jednak nie ma zwarcia.

Dziwna sprawa - pisałem o tym w TWOIM wątku kilka miesięcy wstecz i chyba nie przyswoiłeś sobie tej wiedzy, bo pytasz o to samo po prawie pół roku: post296628.html#p296628. To samo zjawisko jest opisane w Szkoleniu nr 1: post200066.html#p200066 - czytałeś w ogóle to Szkolenie?

krzysztof000 napisał(a):A na płycie głównej to pole na której był mosfet dren-źródło nadal jest niska rezystancja.

To zależy, gdzie taki MOSFET pracuje i co jest według Ciebie "niską rezystancją". Jeśli ten MOSFET pracuje w obwodzie zasilania GPU jako dolny klucz, to rezystancja nawet poniżej 1Ω na polach pod MOSFET-em jest tu całkowicie normalna. W przypadku zasilania CPU i dolnego klucza, rezystancje na polach pod MOSFET-em rzędu 2-20Ω też są czymś całkowicie normalnym. W niektórych konstrukcjach także i w innych gałęziach zasilania, w przypadku pól pod dolnymi kluczami przetwornic, rezystancje rzędu 8-200Ω są normalne. Tak niskie rezystancje nie mogą jednak występować w gałęziach głównych 19V, gałęziach zasilania 3V/5V czy obwodach ładowania baterii.